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991.
A benign approach for efficient preparation of poly(ether sulfone)(PES)(η_(inh) = 0.10-0.31 dL×g~(-1)) has been presented by using ionic liquid(IL)/zwitterion(ZI) as reaction medium. It has been found that the interaction between 4,4′-dihydroxydiphenylsulfone(Bisphenol-S) and ZI at elevated temperatures results in efficient reduction of dehydration time, which is confirmed by TGA curves, melting point of the mixture and FTIR spectra. Furthermore, no agglomeration is observed at dehydration stage, which is attributed to the high solubility of Bisphenol-S dipotassium salt in IL/ZI. This also makes the polymerization temperature(150 °C) much lower than a conventional method(220-300 °C). In order to demonstrate the efficiency of IL/ZI as reaction medium, the polymerization was also performed in sulfolane under the same reaction condition as that in IL/ZI. 相似文献
992.
993.
浙江省将实行新的高考方案, 最大的变化是考试不再分文理, 考生从思想政治、 历史、 地理、 物理、 化学、
生物、 技术( 含通用技术和信息技术)等7门设有加试题的高中学考科目中, 选择3门作为高考选考科目. 这给一直
作为理科必学的物理学科带来了很大的挑战. 本文着重分析了选考物理的人数、 学科地位、 考试成绩等方面发生的
变化, 并对这些变化产生的原因及后果进行了深入的思考, 为今后的教学提供参考和依据 相似文献
994.
主要研究了Banach空间一类具有阻尼项的二阶微分包含的可控性,利用集值映射不动点定理,讨论了集值函数取凸值的情况,给出了微分包含可控性的充分条件. 相似文献
995.
正孔材料研究已经有两百多年的历史,近年来,金属有机框架(MOFs)由于具有周期性孔道和大比表面积广泛得到国内外重视,在分离、催化、药物输送、生物及能源材料开发等领域展示出了广阔的应用前景~1。但长期以来孔材料被定义为是有孔的固体~2,其功能和应用开发也局限于非 相似文献
996.
基于SERS法的苹果中农药残留的定性及定量分析 总被引:2,自引:0,他引:2
使用共焦显微拉曼光谱仪,结合表面增强拉曼散射(Surface-Enhanced Raman Scattering,SERS)技术,采集含有农药马拉硫磷和二嗪农的苹果汁样本的基于银纳米溶胶的表面增强拉曼光谱,采用距离匹配和判别分析的方法对其进行定性分析。然后结合偏最小二乘(Partial Least Squares,PLS)方法对两种农药的表面增强拉曼光谱分别进行数学建模分析。结果表明表面增强拉曼散射(SERS)技术对无损快速定性分析马拉硫磷和二嗪农具有较高的准确性,而定量分析二者的含量也具有较高的可行性。 相似文献
997.
998.
对等价电子数组元Heusler合金Fe_2RuSi的原子占位、电子结构与磁性进行了理论与实验研究.第一性原理计算表明,虽然Fe_2RuSi中Fe,Ru均有8个价电子,但是Ru仍表现出强烈的占据A,C晶位倾向.基态总能最低的是Fe与Ru分别占据A,C晶位的XA结构,次低的是Fe,Ru在A,C位混乱占位的L2_1B结构,且两者能量差很小.这说明决定Heusler合金中过渡族原子占位的因素除价电子数以外还可能有原子半径和共价杂化作用等.态密度和差分电荷密度计算表明Heusler合金中主族元素与最近邻过渡族元素之间的p-d共价杂化对Heusler合金的占位有明显影响,在XA结构中Ru与Si和Fe(B)之间都存在明显的杂化作用,而在高能的L2_1结构中,Si与最近邻的Fe杂化作用相当弱.XRD测试表明在室温Fe_2RuSi存在A,C位之间的Fe-Ru反占位,形成了能量次高的L21B结构,这主要来自于混合熵对自由能的贡献及其引起的原子自发混乱占位.在5 K下Fe_2RuSi的饱和磁矩为4.87μB/f.u.,与计算值符合得相当好. 相似文献
999.
采用基于密度泛函理论的第一性原理结合投影缀加平面波的方法,研究了GaN中Ga被稀土元素Gd替代以及与邻近N或Ga空位组成的缺陷复合体的晶格常数、磁矩、形成能以及电子结构等性质.结果发现,Gd掺杂GaN后禁带宽度变窄,由直接带隙半导体转为间接带隙半导体;单个Gd原子掺杂给体系引入大约7μB的磁矩;在Gd与Ga或N空位形成的缺陷复合体系中,N空位对引入磁矩贡献很小,大约0.1μB,Ga空位能引入约2μB的磁矩.随着Ga空位的增多,体系总磁矩增加,但增加量与Ga空位的位置分布密切相关.当Ga空位分布较为稀疏时,Gd单原子磁矩受影响较小,但当Ga空位距离较近且倾向于形成团簇时,Gd单原子磁矩明显增加,而且这种情况下空位形成能也最小. 相似文献
1000.